日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（「Toshiba」）已在第三代碳化矽(SiC)肖特基柵極二極體(SBD)產品線中增添「TRSxxx120Hx系列」1200 V產品，應用於光伏逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備。Toshiba現已開始提供該系列的十款新產品，其中包括採用TO-247-2L封裝的五款產品和採用TO-247封裝的五款產品。
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最新TRSxxx120Hx系列為1200 V產品，它採用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改進型接面柵極肖特基(JBS)結構 [1]。在接面柵極中使用新型金屬，有助於這些新產品實現前沿的[2]1.27 V（典型值）低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。
Toshiba將繼續壯大其SiC電源器件的產品線，並將一如既往地專注於提高效率，降低工業電源設備功耗。
備註：
[1]改進型JBS結構：該結構將混合式PiN肖特基(MPS)結構整合在JBS結構中，MPS可在大電流下降低正向電壓，而JBS不僅可降低肖特基介面的電場，還可減少電流洩漏。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的Toshiba調查。
應用
- 光伏逆變器
- 電動汽車充電站
- 用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統(UPS)
功能
- 第3代1200 V SiC SBD
- 前沿的[2]低正向電壓：V F ＝1.27V（典型值）(I F =I F(DC) )
- 低總電容電荷：TRS20H120H 的Q C =109nC（典型值）（V R =800V，f=1MHz）
- 低反向電流：TRS20H120H的I R ＝2.0μA（典型值）(V R =1200V)
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主要規格 |
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（除非另有說明，否則T a =25°C） |
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器件型號 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電氣特性 |
樣品查看與 供貨情況 |
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重複峰值反向 電壓 V RRM (V) |
正向 直流 電流 I F(DC) (A) |
非重複 峰值正向 浪湧電流 I FSM (A) |
正向電壓 （脈衝測量） V F (V) |
反向電流 （脈衝測量） I R (μA) |
總電容電荷 Q C (nC) |
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溫度條件 T c (°C) |
f=50Hz （半正弦波，t=10ms）， T c =25°C |
I F =I F(DC) |
V R =1200V |
V R =800V, f=1MHz |
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典型值 |
典型值 |
典型值 |
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TO-247-2L |
1200 |
10 |
160 |
80 |
1.27 |
1.0 |
61 |
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|
15 |
157 |
110 |
1.4 |
89 |
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|
20 |
155 |
140 |
2.0 |
109 |
|||||
|
30 |
150 |
210 |
2.8 |
162 |
|||||
|
40 |
147 |
270 |
3.6 |
220 |
|||||
|
TO-247 |
5（每個引腳） 10（兩個引腳） |
160 |
40（每個引腳） 80（兩個引腳） |
1.27 （每個引腳） |
0.5 （每個引腳） |
30 （每個引腳） |
|||
|
7.5（每個引腳） 15（兩個引腳） |
157 |
55（每個引腳） 110（兩個引腳） |
0.7 （每個引腳） |
43 （每個引腳） |
|||||
|
10（每個引腳） 20（兩個引腳） |
155 |
70（每個引腳） 140（兩個引腳） |
1.0 （每個引腳） |
57 （每個引腳） |
|||||
|
15（每個引腳） 30（兩個引腳） |
150 |
105（每個引腳） 210（兩個引腳） |
1.4 （每個引腳） |
80 （每個引腳） |
|||||
|
20（每個引腳） 40（兩個引腳） |
147 |
135（每個引腳） 270（兩個引腳） |
1.8 （每個引腳） |
108 （每個引腳） |
|||||
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TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
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TRS15N120HB
TRS20N120HB
TRS30N120HB
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值，並促進與客戶的密切合作，共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。
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Toshiba：1200V第三代SiC肖特基柵極二極體。（圖片：美國商業資訊）
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