透過在堆疊技術和晶圓鍵合技術方面的突破性架構創新得以實現
東京--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation是先進的儲存解決方案供應商，該公司今天宣佈，開始出貨採用第八代BiCS FLASHTM3D快閃記憶體技術的2Tb（兆百萬位元）四級單元(QLC)存放裝置樣品(1)這款2Tb QLC設備擁有業內最高容量(2)，將存放裝置提升到新的容量點，將推動包括人工智慧在內的多個應用領域的增長。
憑藉其最新的BiCS FLASHTM技術，Kioxia透過專有工藝和創新架構實現了記憶體晶片的縱向和橫向擴展。此外，該公司還採用了突破性的CBA（CMOS直接鍵合到陣列）(3)技術，該技術能夠實現更高密度的設備和業界領先的3.6Gbps介面速度(4)。這些先進技術共同應用於2Tb QLC的製造，造就了業界最高容量的存放裝置。
與Kioxia目前的第五代QLC設備相比，2Tb QLC的位元密度高出約2.3倍，寫入能效高出約70%，是Kioxia產品中容量最高的設備。最新的QLC設備在單個記憶體封裝中採用16晶片堆疊架構，實現了業界領先的4 TB（太位元組）容量。它的封裝尺寸更小，為11.5 x 13.5毫米，封裝高度為1.5毫米。
Pure Storage, Inc.是一家提供全球最先進資料儲存技術和服務的IT領軍企業，其執行長Charles Giancarlo強調了Kioxia的最新開發成果對他們的公司平台的重要意義：「我們與Kioxia有著長期的合作關係，很高興採用他們的第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC快閃記憶體產品來提升我們全快閃記憶體儲存解決方案的性能和效率。Pure的統一全快閃記憶體資料儲存平台能夠滿足人工智慧的苛刻需求以及備份儲存的高昂成本。在Kioxia技術的支援下，Pure Storage將繼續提供出色的性能、能效和可靠性，為我們的客戶帶來卓越的價值。」
Kioxia技術長Hideshi Miyajima表示：「我們很高興推出採用第八代BiCS FLASH™新技術的全新2Tb QLC樣品。2Tb QLC產品具有業界領先的高密度、高速資料傳輸和卓越的能效，將為快速崛起的AI應用和需要節省電力和空間的大型儲存應用提供新的價值。」
除了2Tb QLC，Kioxia還推出了1Tb QLC存放裝置。與容量優化的2Tb QLC相比，性能優化的1Tb QLC的順序寫入效能提升了約30%，讀取延遲改善了約15%。1Tb QLC將部署在高性能應用中，包括用戶端SSD和行動裝置。
Kioxia將繼續開發行業領先的儲存產品，以滿足日益增長的資料儲存解決方案需求。
註
(1) 這些樣品用於功能檢查，其規格可能與批量生產的產品有所不同。
(2) 截至2024年7月3日。Kioxia調查。
(3) CBA（CMOS直接鍵合到陣列）技術，即每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓在其優化狀態下單獨製造，然後鍵合在一起。
(4) 1Gbps是指每秒1,000,000,000位元。該值是在Kioxia的特定測試環境下獲得的，可能會因使用者的條件而異。
* 每次提及Kioxia產品時：產品密度是根據產品內儲存晶片的密度來確定的，而不是最終使用者可用於資料儲存的儲存容量。由於開銷資料區域、格式、壞塊和其他限制，消費者可用的容量會更少，並且可能因主機設備和應用而異。有關詳細資訊，請參閱適用的產品規格。1KB的定義 = 2^10位元組 = 1,024位元組。1Gb的定義 = 2^30位元 = 1,073,741,824位元。1GB的定義 = 2^30位元組 = 1,073,741,824位元組。1Tb = 2^40位元 = 1,099,511,627,776位元。
* 讀寫速度是在Kioxia的特定測試環境中獲得的最佳值，Kioxia不保證單個設備的讀寫速度。讀寫速度可能因所用設備和讀寫檔案大小而異。
* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是協力廠商公司的商標。
關於 Kioxia
Kioxia 是全球記憶體解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟 (SSD) 的開發、生產和銷售。其前身是 Toshiba Memory，於 2017 年 4 月從 Toshiba Corporation（1987 年發明了 NAND 快閃記憶體）剝離出來。Kioxia 致力於憑藉記憶體技術促進世界發展，該公司提供各種產品、服務和系統，為客戶提供多樣化選擇，並基於記憶體技術創造價值，推動社會的發展。Kioxia 創新的 3D 快閃記憶體技術 BiCS FLASH™ 正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括高級智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心）的未來。
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