《楠楠自語》最近說華為使用中芯國際晶片製造新手機，中國半導體技術突破的說法鬧得沸
沸揚揚。下文就簡單表達筆者的看法。
關於光刻機，ＤＵＶ光刻機光源為準分子激光，而ＥＵＶ光刻機是激光激發等離子來發射極
紫外光子。通過不同方式，二者發出的光源也不同。其中，ＤＵＶ光刻機的波長能達到１９３納
米，而ＥＵＶ光源的波長則為１３﹒５納米。二者之間的差距十分明顯，波長愈短，所能實現的
分辨率愈高。所以必須使用ＥＵＶ光刻機才能夠承擔高精度半導體的生產任務。
簡單來說，半導體需要使用光刻技術在晶圓上刻畫結構，這是製造半導體的必要步驟。而
ＤＵＶ╱ＥＵＶ分別在於，一把是餐刀，另一把是刺身刀。用膠餐刀來切蛋糕尚能勝任，但用膠
餐刀切生魚片，切出來的效果當然差。這就是ＤＵＶ╱ＥＵＶ的分別。
現存沒有不用光刻就成功製造半導體的辦法，所以不要自欺欺人說中國有技術，只是未公布
。如果有，中芯現時也不需要用１０年前的光刻技術製造半導體。
另外，今次華為麒麟９０００Ｓ ＣＰＵ由１個２﹒６２ＧＨｚ超大核＋３個
２﹒１５ＧＨｚ大核＋４個１﹒５３ＧＨｚ小核組成。體積明顯比台積電７ｎｍ製程大。出自中
芯手筆亦正常，畢竟兩個孤獨的人抱在一起，華為沒有半導體供應商，中芯也沒什麼大客戶。這
當然能夠算是一個突破，但ＤＵＶ多重曝光技術理論上可以做到５ｎｍ，這個業內人士都清楚，
只不過良率會再降低至完全不盈利水平。
字數有限，詳細科學解釋可參考筆者社交平台。因此筆者為什麼常說中芯國際的不可預測性
太高，不適合長線投資。燒錢做研發，回報低；美國制裁，國際封鎖。明知山有虎，偏向虎山行
，何必呢？
《南華證券高級分析師 莫灝楠》
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