《經濟通通訊社１３日專訊》據交易所公告，中國晶片製造商英諾賽科（蘇州）向港交所提交上市前文件。中金公司、招銀國際為其聯席保薦人。文件未列集資金額，但據外電今年３月報道，該公司考慮籌資約３億美元（約２３﹒４億港元）。　　　據初步上市文件，英諾賽科致力於氮化鎵功率半導體行業及生態系統的創新。公司是全球首家實現量產８英寸矽基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的矽基氮化鎵半導體產品的公司。據弗若斯特沙利文資料，按收入計，英諾賽科於２０２３年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。　　　該公司去年淨虧損１１億元人民幣，按年收窄５０％；經調整淨虧損為１０﹒２億元人民幣，按年收窄２０﹒５％。截至去年底，公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能達到每月１萬片晶圓。相較於６英吋矽基氮化鎵晶圓，該公司先進的量產技術亦使晶圓晶粒產出數增加８０％，單一器件成本降低３０％。（ｋｋ）　　

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