最近說華為使用中芯國際晶片製造新手機，中國半導體技術突破的說法鬧得沸沸揚揚。下文就簡單表達筆者的看法。
　
　　關於光刻機，DUV光刻機光源為準分子激光，而EUV光刻機是激光激發等離子來發射極紫外光子。通過不同方式，二者發出的光源也不同。其中，DUV光刻機的波長能達到193納米，而EUV光源的波長則為13.5納米。二者之間的差距十分明顯，波長愈短，所能實現的分辨率愈高。所以必須使用EUV光刻機才能夠承擔高精度半導體的生產任務。
　
　　簡單來說，半導體需要使用光刻技術在晶圓上刻畫結構，這是製造半導體的必要步驟。而DUV/EUV分別在於，一把是餐刀，另一把是刺身刀。用膠餐刀來切蛋糕尚能勝任，但用膠餐刀切生魚片，切出來的效果當然差。這就是DUV/EUV的分別。
　
　　現存沒有不用光刻就成功製造半導體的辦法，所以不要自欺欺人說中國有技術，只是未公布。如果有，中芯現時也不需要用10年前的光刻技術製造半導體。
　
　　另外，今次華為麒麟9000S CPU由1個2.62GHz超大核+3個2.15GHz大核+4個1.53GHz小核組成。體積明顯比台積電7nm製程大。出自中芯手筆亦正常，畢竟兩個孤獨的人抱在一起，華為沒有半導體供應商，中芯也沒什麼大客戶。這當然能夠算是一個突破，但DUV多重曝光技術理論上可以做到5nm，這個業內人士都清楚，只不過良率會再降低至完全不盈利水平。
　
　　字數有限，詳細科學解釋可參考筆者社交平台。因此筆者為什麼常說中芯國際的不可預測性太高，不適合長線投資。燒錢做研發，回報低；美國制裁，國際封鎖。明知山有虎，偏向虎山行，何必呢？
《南華證券高級分析師　莫灝楠》
　
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