《經濟通通訊社13日專訊》據交易所公告,中國晶片製造商英諾賽科(蘇州)向港交所提
交上市前文件。中金公司、招銀國際為其聯席保薦人。文件未列集資金額,但據外電今年3月報
道,該公司考慮籌資約3億美元(約23﹒4億港元)。
據初步上市文件,英諾賽科致力於氮化鎵功率半導體行業及生態系統的創新。公司是全球
首家實現量產8英寸矽基氮化鎵晶圓的公司,亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的矽基
氮化鎵半導體產品的公司。據弗若斯特沙利文資料,按收入計,英諾賽科於2023年在全球所
有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。
該公司去年淨虧損11億元人民幣,按年收窄50%;經調整淨虧損為10﹒2億元人民
幣,按年收窄20﹒5%。截至去年底,公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地,產能
達到每月1萬片晶圓。相較於6英吋矽基氮化鎵晶圓,該公司先進的量產技術亦使晶圓晶粒產出
數增加80%,單一器件成本降低30%。(kk)
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