《經濟通通訊社５日專訊》據《路透》旗下ＩＦＲ報道，內地氮化鎵芯片製造商英諾賽科
（Ｉｎｎｏｓｃｉｅｎｃｅ）正考慮最快今年來香港進行ＩＰＯ，籌資約３億美元（約２３﹒４
億港元），目前正與中金公司及招銀國際就上市事宜進行合作。
　　英諾賽科於２０１５年成立，是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵研發與產業化的高新技
術企業。公司採用ＩＤＭ全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的８英吋ＧａＮ－ｏｎ－Ｓｉ
晶圓量產線。公司擁有兩座８吋矽基氮化鎵生產基地，目前，英諾賽科８吋矽基氮化鎵的產能達
到每月１﹒５萬片，並將逐漸擴大至每月７萬片以上。
　　據網站介紹，其投資者包括英國晶片設計商Ａｒｍ、中國電池巨頭寧德時代、韓企ＳＫ集團
和招銀國際。（ｂｉ）

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